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PDTA123JQC-QZ Nexperia


pdta143x_to_124xqc-q_ser.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
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2833+0.061 EUR
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Technische Details PDTA123JQC-QZ Nexperia

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Resistors Included: R1 and R2, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Frequency - Transition: 180 MHz, Power - Max: 360 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN1412D-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PDTA123JQC-QZ PDTA123JQC-QZ Nexperia USA Inc. PDTA143X_TO_124XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
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PDTA123JQC-QZ PDTA123JQC-QZ Nexperia pdta143x_to_124xqc-q_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
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2833+0.052 EUR
2866+0.049 EUR
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PDTA123JQC-QZ PDTA123JQC-QZ Nexperia USA Inc. PDTA143X_TO_124XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
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Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
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Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
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Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
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Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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