PDTB113EUF NXP Semiconductors


PDTB1XXXU_SER.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
PDTB113EUF
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Technische Details PDTB113EUF NXP Semiconductors

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-323, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 300 mW, Frequency - Transition: 140 MHz, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, Qualification: AEC-Q100.

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PDTB113EUF PDTB113EUF Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTB1XXXU_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 140 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q100
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PDTB113EUF PDTB113EUF Hersteller : Nexperia PDTB1XXXU_SER.pdf Digital Transistors PDTB113EU/SOT323/SC-70
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