PDTB114ETR NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; SOT23,TO236AB; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
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auf Bestellung 2175 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 385+ | 0.19 EUR |
| 618+ | 0.12 EUR |
| 772+ | 0.09 EUR |
| 855+ | 0.08 EUR |
| 983+ | 0.07 EUR |
| 1520+ | 0.05 EUR |
| 1608+ | 0.04 EUR |
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Technische Details PDTB114ETR NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTB114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTB1xxxT Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.
Weitere Produktangebote PDTB114ETR nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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PDTB114ETR | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; SOT23,TO236AB; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
auf Bestellung 2175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTB114ETR | Hersteller : Nexperia |
Digital Transistors PDTB114ET/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 8435 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PDTB114ETR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 320 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PDTB114ETR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTB114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB1xxxT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 175°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
auf Bestellung 1280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTB114ETR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTB114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB1xxxT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 175°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
auf Bestellung 1280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTB114ETR | Hersteller : NEXPERIA |
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 460mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTB114ETR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 320 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 |
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