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PDTB123ET,215

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Produktcode: 173860
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002881336-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTB123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTB123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.57 EUR
695+0.33 EUR
1397+0.15 EUR
1486+0.14 EUR
1588+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 Nexperia PDTB123ET.pdf Digital Transistors PDTB123ET/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 15195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002881336-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTB123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTB123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
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PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 NEXPERIA PDTB123ET.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 40
auf Bestellung 5966 Stücke:
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PDTB123ET,215 Nexperia PDTB123ET.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
671+0.26 EUR
1200+0.14 EUR
1220+0.13 EUR
1473+0.11 EUR
2243+0.067 EUR
2332+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 671 Stücke
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PDTB123ET,215 NEXP-S-A0002881336-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PDTB123ET,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTB123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
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Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTB123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2772 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Nexperia
Digital Transistors PDTB123ET/SOT23/TO-236AB
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PDTB123ET,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTB123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTB123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 452 Stücke:
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320+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
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PDTB123ET,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 40
auf Bestellung 5966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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671+0.26 EUR
1200+0.14 EUR
1220+0.13 EUR
1473+0.11 EUR
2243+0.067 EUR
2332+0.062 EUR
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