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PDTB123ET,215

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Produktcode: 173860
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 Nexperia USA Inc. PDTB123ET.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 42567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3877+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3877 Stücke
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PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 Nexperia PDTB123ET.pdf Digital Transistors PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.4 EUR
12+0.25 EUR
100+0.16 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.088 EUR
3000+0.065 EUR
6000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 NEXPERIA PDTB123ET.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Current gain: 40
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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Hersteller: Nexperia
Digital Transistors PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm
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Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Current gain: 40
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
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Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
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