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PDTB123TT,215

PDTB123TT,215 NEXPERIA

PDTB123TT.pdf Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Current gain: 100...250
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
527+0.14 EUR
806+0.09 EUR
1651+0.04 EUR
1749+0.04 EUR
75000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 334
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Technische Details PDTB123TT,215 NEXPERIA

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms.

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PDTB123TT,215 PDTB123TT,215 Hersteller : NEXPERIA PDTB123TT.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Current gain: 100...250
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
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PDTB123TT,215 PDTB123TT,215 Hersteller : Nexperia PDTB123TT.pdf Digital Transistors 50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors
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11+0.26 EUR
100+0.16 EUR
500+0.11 EUR
3000+0.08 EUR
6000+0.07 EUR
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PDTB123TT,215 PDTB123TT,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTB123TT.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+0.51 EUR
50+0.35 EUR
103+0.17 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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PDTB123TT,215 PDTB123TT,215 Hersteller : NEXPERIA 183115437485842pdtb123tt.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_part.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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PDTB123TT,215 PDTB123TT,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTB123TT.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
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