PDTB123TT,215 Nexperia USA Inc.
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Technische Details PDTB123TT,215 Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms.
Weitere Produktangebote PDTB123TT,215 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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PDTB123TT,215 | Nexperia |
 Digital Transistors PDTB123TT/SOT23/TO-236AB |
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PDTB123TT,215 | NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Base resistor: 2.2kΩ Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP Current gain: 100...250 Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23; TO236AB Collector current: 0.5A Collector-emitter voltage: 50V |
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| PDTB123TT,215 |
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Hersteller: Nexperia
Digital Transistors PDTB123TT/SOT23/TO-236AB
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| PDTB123TT,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Current gain: 100...250
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.5A
Collector-emitter voltage: 50V
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Current gain: 100...250
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
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