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Technische Details PDTC123JT-QR Nexperia
Description: PDTC123JT-Q/SOT23/TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 230 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Weitere Produktangebote PDTC123JT-QR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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PDTC123JT-QR | Hersteller : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PDTC123JT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohmDauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC123J Series Widerstandsverhältnis R1/R2: 21 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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PDTC123JT-QR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC123JT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC123J Series Widerstandsverhältnis R1/R2: 21 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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PDTC123JT-QR | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PDTC123JT-QR | Hersteller : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PDTC123JT-QR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PDTC123JT-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
Produkt ist nicht verfügbar |