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PDTC124ET,215

PDTC124ET,215 NXP Semiconductors

pdtc124e_series_7.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PDTC124ET,215 NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA - PDTC124ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC124E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc124e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : Nexperia PDTC124ET.pdf Digital Transistors SOT23 50V .1A NPN RET
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC124ET.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795EA3E5F3C31E747&compId=PDTC124E_SER.pdf?ci_sign=8042a37091e2b32766727beb28b9fd40b209a0e5 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Frequency: 230MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
348+0.21 EUR
564+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 228
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795EA3E5F3C31E747&compId=PDTC124E_SER.pdf?ci_sign=8042a37091e2b32766727beb28b9fd40b209a0e5 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Frequency: 230MHz
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002887727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC124ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC124E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002887727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC124ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC124E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PDTC124ET,215 Hersteller : NXP PDTC124ET.pdf NPN 100mA 50V 250mW PDTC124ET,235 PDTC124ET,215 NXP TPDTC124et
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PDTC124ET,215 Hersteller : NXP Semiconductors PDTC124ET.pdf TRANS NPN 50V 100MA SOT23
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : NEXPERIA pdtc124e_series_7.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC124ET.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
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