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PDTC143EMB,315

PDTC143EMB,315 Nexperia


pdtc143emb.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PDTC143EMB,315 Nexperia

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 230 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Qualification: AEC-Q100, Resistors Included: R1 and R2.

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PDTC143EMB,315 PDTC143EMB,315 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC143EMB.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
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PDTC143EMB,315 PDTC143EMB,315 Hersteller : Nexperia PDTC143EMB.pdf Digital Transistors NPN resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 kohm, R2 = 4.7 kohm
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PDTC143EMB,315 Hersteller : NEXPERIA PDTC143EMB.pdf Description: NEXPERIA - PDTC143EMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PDTC143EMB,315 PDTC143EMB,315 Hersteller : NEXPERIA 182684791938392pdtc143emb.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_par.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
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PDTC143EMB,315 PDTC143EMB,315 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC143EMB.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q100
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