PDTC143EQB-QZ Nexperia
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| Anzahl | Preis |
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| 2778+ | 0.05 EUR |
| 2874+ | 0.05 EUR |
| 2986+ | 0.05 EUR |
| 3096+ | 0.04 EUR |
| 3226+ | 0.04 EUR |
| 6000+ | 0.04 EUR |
| 15000+ | 0.03 EUR |
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Technische Details PDTC143EQB-QZ Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTC143EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PDTC143EQB-QZ nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||||
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PDTC143EQB-QZ | Hersteller : Nexperia |
 Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 |
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PDTC143EQB-QZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
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PDTC143EQB-QZ | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 |
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PDTC143EQB-QZ | Hersteller : Nexperia |
Digital Transistors PDTC143EQB-Q/SOT8015/DFN1110D- |
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PDTC143EQB-QZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
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PDTC143EQB-QZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC143EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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PDTC143EQB-QZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC143EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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