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PDTC143ET.215(Transistor)

PDTC143ET.215(Transistor) NXP

pdtc143e_ser-datasheet.pdf
Produktcode: 55983
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
ZCODE: SMD
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc143et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC143ET.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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6000+0.03 EUR
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc143et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79597345A0AD80747&compId=PDTC143E_SER.pdf?ci_sign=20de48aa22e661eae6104b898b095a02f02ea761 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
916+0.08 EUR
1320+0.05 EUR
2075+0.03 EUR
3624+0.02 EUR
3847+0.02 EUR
24000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 916
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79597345A0AD80747&compId=PDTC143E_SER.pdf?ci_sign=20de48aa22e661eae6104b898b095a02f02ea761 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
auf Bestellung 13704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
916+0.08 EUR
1320+0.05 EUR
2075+0.03 EUR
3624+0.02 EUR
3847+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 916
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc143et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 25553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
849+0.17 EUR
851+0.16 EUR
852+0.15 EUR
853+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 849
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc143et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 25553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
853+0.17 EUR
3000+0.16 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 853
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC143ET.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 9664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.19 EUR
152+0.12 EUR
247+0.07 EUR
500+0.05 EUR
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia PDTC143ET.pdf Digital Transistors 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 kohm, R2 = 4.7 kohm
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15+0.20 EUR
24+0.12 EUR
100+0.08 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
3000+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : NEXPERIA pdtc143e_series_9.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : NEXPERIA 2242057.pdf Description: NEXPERIA - PDTC143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc143et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : NEXPERIA pdtc143e_series_9.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 273000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTC143ET,215 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En PDTC143ET.pdf Транзистор цифровий smd; Структура = NPN; Uceo, В = 50; Ic, А = 0,1; hFE = 30 @ 10 мА, 5 В; Icutoff-max = 1 мкА; Ptot, Вт = 0,25; R1, кОм = 4,7; R2, кОм = 4,7; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 500 мкA, 10 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-23-3
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDTC143ET,215 Hersteller : NXP Semiconductors PDTC143ET.pdf SOT-23
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDTC143ET,215 Hersteller : NEXPERIA 2242057.pdf Description: NEXPERIA - PDTC143ET,215 - HF-TRANSISTOR, NPN, 50V, SOT-23-3
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2233 Stücke:
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LL4148
Produktcode: 2413
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LL4148-D.PDF ll4148.pdf LL4148.pdf 5399_LL4148%20LL-34.PDF LL4148.pdf %5BLumimax%5DLL4148.pdf
LL4148
Hersteller: SEMTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Austauschbar:: SMD
auf Bestellung 47954 Stück:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-071KL /Yageo)
Produktcode: 85265
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pyu-rc_group_51_rohs_l_9-1314892.pdf
1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-071KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 94083 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100pF 50V NP0 5% 0805 (CL21C101JBANNNC-Samsung) (конденсатор керамический SMD)
Produktcode: 114831
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100pF 50V NP0 5% 0805 (CL21C101JBANNNC-Samsung) (конденсатор керамический SMD)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
auf Bestellung 2526 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZV55-C6V2
Produktcode: 4319
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BZV55.pdf
BZV55-C6V2
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 6,2
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 2.3mV/K
№ 6: 8541100090
auf Bestellung 565 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.03 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
47uH 10% 1210 (LQH32CN470K23L-Murata) Induktivität
Produktcode: 48961
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47uH 10% 1210 (LQH32CN470K23L-Murata) Induktivität
Hersteller: Murata
Drosseln > Induktivität 1210
Номінал: 1210
Точність: 47uH
Габарити або типорозмір: ±10%
Опис і характеристики: Draht auf Ferrit
auf Bestellung 2070 Stück:
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