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PDTC143ET,215

PDTC143ET,215 Nexperia

pdtc143et.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PDTC143ET,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTC143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC143ET.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 9000 Stücke:
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79597345A0AD80747&compId=PDTC143E_SER.pdf?ci_sign=20de48aa22e661eae6104b898b095a02f02ea761 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 230MHz
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42394 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
834+0.086 EUR
1180+0.061 EUR
1370+0.052 EUR
1578+0.045 EUR
2689+0.027 EUR
2841+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 556
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Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 230MHz
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
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834+0.086 EUR
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1370+0.052 EUR
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC143ET.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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1000+0.045 EUR
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : NEXPERIA pdtc143e_series_9.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : NEXPERIA 2242057.pdf Description: NEXPERIA - PDTC143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : NEXPERIA 2242057.pdf Description: NEXPERIA - PDTC143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : NEXPERIA pdtc143e_series_9.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 273000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTC143ET,215 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En PDTC143ET.pdf Транзистор цифровий smd; Структура = NPN; Uceo, В = 50; Ic, А = 0,1; hFE = 30 @ 10 мА, 5 В; Icutoff-max = 1 мкА; Ptot, Вт = 0,25; R1, кОм = 4,7; R2, кОм = 4,7; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 500 мкA, 10 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-23-3
auf Bestellung 2400 Stücke:
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PDTC143ET,215 Hersteller : NXP Semiconductors PDTC143ET.pdf SOT-23
auf Bestellung 70 Stücke:
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PDTC143ET,215 PDTC143ET,215 Hersteller : Nexperia PDTC143ET.pdf Digital Transistors SOT23 50V .1A NPN RET
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