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PDTD113ET,215

PDTD113ET,215 Nexperia

3137pdtd113e_ser.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PDTD113ET,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTD113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTD113E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Hersteller : Nexperia 3137pdtd113e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Hersteller : Nexperia 3137pdtd113e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Hersteller : Nexperia 3137pdtd113e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTD113E_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Current gain: 33
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 1kΩ
Base resistor: 1kΩ
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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200+0.36 EUR
258+0.28 EUR
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Mindestbestellmenge: 200
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PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTD113E_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Current gain: 33
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 1kΩ
Base resistor: 1kΩ
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
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PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTD113E_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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76+0.23 EUR
106+0.17 EUR
122+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Hersteller : Nexperia PDTD113E_SER.pdf Digital Transistors PDTD113ET/SOT23/TO-236AB
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12+0.25 EUR
50+0.18 EUR
100+0.16 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.088 EUR
6000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS20463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTD113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 461 Stücke:
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PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS20463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTD113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Hersteller : NEXPERIA 182697367128750pdtd113e_ser.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_p.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTD113E_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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