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Technische Details PDTD143EQAZ Nexperia
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 325 mW, Frequency - Transition: 210 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Qualification: AEC-Q101.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| PDTD143EQAZ | NXP Semiconductors |
 Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 940mW Automotive 3-Pin DFN-D EP |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTD143EQAZ |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 940mW Automotive 3-Pin DFN-D EP
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 940mW Automotive 3-Pin DFN-D EP
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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