PEMD18,115 Nexperia USA Inc.


PEMD18_PUMD18.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-666
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
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Technische Details PEMD18,115 Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-666, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
PEMD18,115 PEMD18,115 Nexperia PEMD18_PUMD18-1320317.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased TRNS DOUBL RET TAPE7
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRNS DOUBL RET TAPE7
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