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PEMD9,115

PEMD9,115 Nexperia USA Inc.

PEMD9.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 4000
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Technische Details PEMD9,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PEMD9,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-666, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PEMD9 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PEMD9,115 PEMD9,115 Hersteller : NEXPERIA PEMD9_PUMD9.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT666
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180...230MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
264+0.27 EUR
295+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 186
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PEMD9,115 PEMD9,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PEMD9.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+0.69 EUR
42+0.42 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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PEMD9,115 PEMD9,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002884452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PEMD9,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-666
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PEMD9 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PEMD9,115 PEMD9,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002884452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PEMD9,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
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Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-666
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PEMD9 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PEMD9,115 PEMD9,115 Hersteller : Nexperia pemd9.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
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PEMD9,115 PEMD9,115 Hersteller : Nexperia pemd9.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
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PEMD9,115 PEMD9,115 Hersteller : Nexperia PEMD9.pdf Digital Transistors PEMD9/SOT666/SOT6
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