PEMH10,115

PEMH10,115 Nexperia USA Inc.


PEMH10.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PEMH10,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PEMH10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote PEMH10,115 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.76 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PEMH10,115 PEMH10,115 Hersteller : Nexperia PEMH10.pdf Digital Transistors 50 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistor; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ
auf Bestellung 23438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.67 EUR
10+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEMH10,115 PEMH10,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PEMH10.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 5015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+0.76 EUR
33+0.54 EUR
100+0.27 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEMH10,115 PEMH10,115 Hersteller : NEXPERIA 2341399.pdf Description: NEXPERIA - PEMH10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEMH10,115 PEMH10,115 Hersteller : NEXPERIA 2341399.pdf Description: NEXPERIA - PEMH10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEMH10,115 Hersteller : NXP PEMH10.pdf 2xNPN 100mA 50V 300mW 230MHz +res. 2.2k+47k PEMH10,115 PEMH10 TPEMH10
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEMH10,115 Hersteller : NEXPERIA PEMH10.pdf PEMH10.115 NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH