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Technische Details PH2520U,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PH2520U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 2100 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PH2520U,115
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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PH2520U,115 | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PH2520U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 2100 µohm, LFPAK56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PH2520U,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PH2520U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 2100 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PH2520U,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PH2520U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 2100 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PH2520U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 2100 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1560 Stücke:
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| PH2520U,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PH2520U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 2100 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PH2520U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 2100 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)