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PHB29N08T,118

PHB29N08T,118 Nexperia USA Inc.

PHB29N08T.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 14A, 11V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 11V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
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Technische Details PHB29N08T,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 14A, 11V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 11V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PHB29N08T,118 PHB29N08T,118 Nexperia 2118901981311217phb29n08t.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 11V
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PHB29N08T,118 NEXPERIA PHGLS20008-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - PHB29N08T,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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