PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.17 EUR |
| 10+ | 1.95 EUR |
| 100+ | 1.27 EUR |
| 500+ | 1 EUR |
| 1000+ | 0.86 EUR |
| 2000+ | 0.77 EUR |
| 5000+ | 0.67 EUR |
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Technische Details PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13009/DG,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 12A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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PHE13009/DG,127 | WEEN SEMICONDUCTORS |
 Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13009/DG,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 80 W, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 12A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PHE13009/DG,127 |
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Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13009/DG,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13009/DG,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
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MSL: -
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 102 Stücke:
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