PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.17 EUR |
| 10+ | 1.95 EUR |
| 100+ | 1.27 EUR |
| 500+ | 1 EUR |
| 1000+ | 0.86 EUR |
| 2000+ | 0.77 EUR |
| 5000+ | 0.67 EUR |
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Technische Details PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13009/DG,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 80W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 12A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote PHE13009/DG,127 nach Preis ab 4.22 EUR bis 4.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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PHE13009/DG,127 | WEEN SEMICONDUCTORS |
 Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13009/DG,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 80 W, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 80W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 12A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PHE13009/DG,127 |
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Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13009/DG,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 80W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13009/DG,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
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MSL: -
Verlustleistung: 80W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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