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PHT6NQ10T,135

PHT6NQ10T,135 Nexperia

2929pht6nq10t.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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Technische Details PHT6NQ10T,135 Nexperia

Description: NEXPERIA - PHT6NQ10T,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 8.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 Nexperia 2929pht6nq10t.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 Nexperia USA Inc. PHT6NQ10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 Nexperia 69011930434861pht6nq10t.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 Nexperia 2929pht6nq10t.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 Nexperia 2929pht6nq10t.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 Nexperia 2929pht6nq10t.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 1116 Stücke:
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293+0.73 EUR
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Mindestbestellmenge: 293 Stücke
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PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 Nexperia 2929pht6nq10t.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 Nexperia PHT6NQ10T.pdf MOSFETs SOT223 100V 6.5A N-CH
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PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 Nexperia USA Inc. PHT6NQ10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 NEXPERIA PHT6NQ10T.pdf Description: NEXPERIA - PHT6NQ10T,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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107+2.34 EUR
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PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 NEXPERIA NEXP-S-A0002885553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PHT6NQ10T,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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148+1.58 EUR
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PHT6NQ10T,135
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 36947 Stücke:
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PHT6NQ10T,135
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4000 Stücke:
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4000+0.58 EUR
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PHT6NQ10T,135
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.61 EUR
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PHT6NQ10T,135
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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PHT6NQ10T,135
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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PHT6NQ10T,135
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 1597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
256+0.69 EUR
257+0.68 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
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PHT6NQ10T,135
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 1116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
293+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
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PHT6NQ10T,135
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 1116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
293+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
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PHT6NQ10T,135
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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PHT6NQ10T,135
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT223 100V 6.5A N-CH
auf Bestellung 51423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.23 EUR
10+1.04 EUR
100+0.7 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.63 EUR
4000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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PHT6NQ10T,135
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+1.24 EUR
22+0.98 EUR
100+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T.pdf
PHT6NQ10T,135
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PHT6NQ10T,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3952 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
107+2.34 EUR
141+1.65 EUR
250+1.23 EUR
1000+1.2 EUR
2000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHT6NQ10T,135 NEXP-S-A0002885553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PHT6NQ10T,135
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PHT6NQ10T,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.5 EUR
148+1.58 EUR
250+1.11 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH