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Technische Details PHT6NQ10T,135 Nexperia
Description: NEXPERIA - PHT6NQ10T,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 8.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PHT6NQ10T,135 nach Preis ab 0.41 EUR bis 2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PHT6NQ10T,135 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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PHT6NQ10T,135 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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PHT6NQ10T,135 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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PHT6NQ10T,135 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PHT6NQ10T,135 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
auf Bestellung 1217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PHT6NQ10T,135 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PHT6NQ10T/SOT223/SC-73 |
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PHT6NQ10T,135 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V |
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PHT6NQ10T,135 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PHT6NQ10T,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 8.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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PHT6NQ10T,135 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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PHT6NQ10T,135 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 26A; 8.3W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.5A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 8.3W Case: SC73; SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PHT6NQ10T,135 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V |
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PHT6NQ10T,135 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 26A; 8.3W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.5A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 8.3W Case: SC73; SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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