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Technische Details PIMN31PAS-QX Nexperia
Description: NEXPERIA - PIMN31PAS-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: DFN2020D, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote PIMN31PAS-QX nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PIMN31PAS-QX | Hersteller : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PIMN31PAS-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: DFN2020D Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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| PIMN31PAS-QX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PIMN31PAS-Q/SOT1118/HUSON6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased Power - Max: 360mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 210MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: DFN2020D-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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| PIMN31PAS-QX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PIMN31PAS-Q/SOT1118/HUSON6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased Power - Max: 360mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 210MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: DFN2020D-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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