PJA3412-AU_R1_000A1 Panjit International Inc.
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Technische Details PJA3412-AU_R1_000A1 Panjit International Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23, Case: SOT23, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 4.1A, On-state resistance: 95mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Application: automotive industry, Power dissipation: 1.25W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 4.6nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 16.4A, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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PJA3412-AU_R1_000A1 | Hersteller : PanJit Semiconductor |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23 Case: SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.1A On-state resistance: 95mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 4.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 16.4A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PJA3412-AU_R1_000A1 | Hersteller : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23 Case: SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.1A On-state resistance: 95mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 4.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 16.4A Mounting: SMD |
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PJA3412-AU_R1_000A1 | Hersteller : Panjit International Inc. |
Description: SOT-23, MOSFET |
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PJA3412-AU_R1_000A1 | Hersteller : Panjit |
MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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