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PJB120N04S-AU_R2_002A1

PJB120N04S-AU_R2_002A1 Panjit

PJB120N04S-AU.pdf
Hersteller: Panjit
MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 40 V, 120 A
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Technische Details PJB120N04S-AU_R2_002A1 Panjit

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; TO252AA, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 58A, Case: TO252AA, Gate-source voltage: 20V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Application: automotive industry, Kind of package: reel; tape.

Weitere Produktangebote PJB120N04S-AU_R2_002A1

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PJB120N04S-AU_R2_002A1 PanJit Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
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PJB120N04S-AU_R2_002A1
Hersteller: PanJit
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
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