Technische Details PJMB210N65EC_R2_00601 Panjit International Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 19A, Power dissipation: 150W, Case: TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.21Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 34nC, Kind of channel: enhancement, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 42A.
Weitere Produktangebote PJMB210N65EC_R2_00601
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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PJMB210N65EC_R2_00601 | Panjit International Inc. |
 Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI |
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PJMB210N65EC_R2_00601 | Panjit |
MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET |
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PJMB210N65EC_R2_00601 | PanJit |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 42A |
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| PJMB210N65EC_R2_00601 |
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Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
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| PJMB210N65EC_R2_00601 |
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Hersteller: Panjit
MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
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| PJMB210N65EC_R2_00601 |
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Hersteller: PanJit
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 42A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 42A
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