PJMB210N65EC_R2_00601 Panjit International Inc.
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.43 EUR |
| 10+ | 3.5 EUR |
| 50+ | 2.68 EUR |
| 100+ | 2.27 EUR |
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Technische Details PJMB210N65EC_R2_00601 Panjit International Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263, Case: TO263, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 650V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.21Ω, Pulsed drain current: 42A, Power dissipation: 150W, Gate charge: 34nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 19A.
Weitere Produktangebote PJMB210N65EC_R2_00601
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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PJMB210N65EC_R2_00601 | Panjit International Inc. |
 Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PJMB210N65EC_R2_00601 | Panjit |
MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PJMB210N65EC_R2_00601 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263 Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 150W Gate charge: 34nC Polarisation: unipolar Drain current: 19A |
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| PJMB210N65EC_R2_00601 |
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Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
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| PJMB210N65EC_R2_00601 |
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Hersteller: Panjit
MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
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| PJMB210N65EC_R2_00601 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 150W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 19A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 150W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
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