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Technische Details PJMF210N65EC_T0_00601 Panjit
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 19A, Power dissipation: 32W, Case: ITO220AB, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.21Ω, Mounting: THT, Gate charge: 34nC, Kind of channel: enhancement, Kind of package: tube, Pulsed drain current: 42A.
Weitere Produktangebote PJMF210N65EC_T0_00601 nach Preis ab 1.88 EUR bis 5.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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PJMF210N65EC_T0_00601 | Panjit International Inc. |
 Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI |
auf Bestellung 1953 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PJMF210N65EC_T0_00601 | PanJit |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Power dissipation: 32W Case: ITO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Pulsed drain current: 42A |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PJMF210N65EC_T0_00601 |
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Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.28 EUR |
| 10+ | 3.4 EUR |
| 50+ | 2.59 EUR |
| 100+ | 2.33 EUR |
| 500+ | 1.88 EUR |
| PJMF210N65EC_T0_00601 |
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Hersteller: PanJit
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 42A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 42A
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