PJQ2460-AU_R1_000A1 Panjit International Inc.
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Technische Details PJQ2460-AU_R1_000A1 Panjit International Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 12.8A; 2.4W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 3.2A, Pulsed drain current: 12.8A, Power dissipation: 2.4W, Case: DFN2020B-6, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 90mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 9.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Application: automotive industry.
Weitere Produktangebote PJQ2460-AU_R1_000A1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| PJQ2460-AU_R1_000A1 | Hersteller : Panjit International Inc. |
 Description: DFN2020B-6L, MOSFET |
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PJQ2460-AU_R1_000A1 | Hersteller : Panjit |
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| PJQ2460-AU_R1_000A1 | Hersteller : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 12.8A; 2.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 12.8A Power dissipation: 2.4W Case: DFN2020B-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
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