PJQ4435EP_R2_00201 Panjit International Inc.
Hersteller: Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details PJQ4435EP_R2_00201 Panjit International Inc.
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -41A, Pulsed drain current: -138A, Power dissipation: 13.5W, Case: DFN3333-8, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 12.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 34nC, Kind of package: reel, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote PJQ4435EP_R2_00201 nach Preis ab 0.46 EUR bis 1.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PJQ4435EP_R2_00201 | Hersteller : Panjit International Inc. |
Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO Packaging: Cut Tape (CT) |
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PJQ4435EP_R2_00201 | Hersteller : Panjit |
MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET |
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| PJQ4435EP-R2-00201 | Hersteller : Panjit | MOSFETs |
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| PJQ4435EP_R2_00201 | Hersteller : PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -41A Pulsed drain current: -138A Power dissipation: 13.5W Case: DFN3333-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
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