Produkte > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJQ4435EP_R2_00201
PJQ4435EP_R2_00201

PJQ4435EP_R2_00201 Panjit International Inc.


PJQ4435EP.pdf Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PJQ4435EP_R2_00201 Panjit International Inc.

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -41A, Pulsed drain current: -138A, Power dissipation: 13.5W, Case: DFN3333-8, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 12.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 34nC, Kind of package: reel, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote PJQ4435EP_R2_00201 nach Preis ab 0.46 EUR bis 1.78 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PJQ4435EP_R2_00201 PJQ4435EP_R2_00201 Hersteller : Panjit International Inc. PJQ4435EP.pdf Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.78 EUR
16+1.1 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4435EP_R2_00201 Hersteller : PanJit Semiconductor PJQ4435EP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -41A
Pulsed drain current: -138A
Power dissipation: 13.5W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4435EP_R2_00201 PJQ4435EP_R2_00201 Hersteller : Panjit PJQ4435EP.pdf MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4435EP-R2-00201 Hersteller : Panjit MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4435EP_R2_00201 Hersteller : PanJit Semiconductor PJQ4435EP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -41A
Pulsed drain current: -138A
Power dissipation: 13.5W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH