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PJQ4435EP_R2_00201 Panjit International Inc.


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Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
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Technische Details PJQ4435EP_R2_00201 Panjit International Inc.

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET, Kind of package: reel, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: -138A, Drain current: -41A, Drain-source voltage: -30V, Gate charge: 34nC, On-state resistance: 12.5mΩ, Power dissipation: 13.5W, Gate-source voltage: ±25V, Case: DFN3333-8.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
PJQ4435EP_R2_00201 PJQ4435EP_R2_00201 Panjit International Inc. PJQ4435EP.pdf Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
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PJQ4435EP_R2_00201 PJQ4435EP_R2_00201 Panjit PJQ4435EP.pdf MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
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PJQ4435EP-R2-00201 Panjit MOSFETs
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PJQ4435EP_R2_00201 PanJit Semiconductor PJQ4435EP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -138A
Drain current: -41A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 12.5mΩ
Power dissipation: 13.5W
Gate-source voltage: ±25V
Case: DFN3333-8
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Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -138A
Drain current: -41A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 12.5mΩ
Power dissipation: 13.5W
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Case: DFN3333-8
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