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PJS6601_S1_00001

PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor

Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6/5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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Technische Details PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W, Type of transistor: N/P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20/-20V, Drain current: 4.1/-3.1A, Power dissipation: 1.25W, Case: SOT23-6, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 95/190mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 4.6/5.4nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PJS6601_S1_00001 PJS6601_S1_00001 Hersteller : PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6/5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PJS6601_S1_00001 PJS6601_S1_00001 Hersteller : Panjit 456AD117B5AC883BF997DDAF2DC8205EA8165F976435EC2367E77F8CAB0D56A1.pdf MOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET
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