Produkte > PANJIT > PJX138K_R1_00001

PJX138K_R1_00001 Panjit


1AE62EEA633DB47B7875DA251818AF4A63F97860BE155C991DBE14B5842BCB4C.pdf
Hersteller: Panjit
MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
auf Bestellung 18429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.45 EUR
15+0.2 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
4000+0.1 EUR
8000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 7 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PJX138K_R1_00001 Panjit

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 50V, Drain current: 0.35A, Power dissipation: 223mW, Case: SOT563, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.5Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 1.2A, Gate charge: 1nC.

Weitere Produktangebote PJX138K_R1_00001

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PJX138K_R1_00001 PJX138K_R1_00001 PanJit Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 1nC
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX138K_R1_00001
Hersteller: PanJit
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 1nC
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH