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Technische Details PMBT5551,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PMBT5551,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 300mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
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PMBT5551,215 | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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PMBT5551,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 528000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMBT5551,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-236AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2130273 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMBT5551,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW |
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PMBT5551,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMBT5551,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 300mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMBT5551,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMBT5551,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 300mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMBT5551,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMBT5551,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW |
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PMBT5551,215 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: TRANS NPN 160V 300MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) |
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PMBT5551,215 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PMBT5551/SOT23/TO-236AB |
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PMBT5551,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.3A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 300MHz |
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