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PMBT5551,215

PMBT5551,215 Nexperia

pmbt5551.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PMBT5551,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PMBT5551,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 300mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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PMBT5551,215 PMBT5551,215 Hersteller : Nexperia pmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PMBT5551,215 PMBT5551,215 Hersteller : Nexperia pmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PMBT5551,215 PMBT5551,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
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PMBT5551,215 PMBT5551,215 Hersteller : Nexperia PMBT5551.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN high-voltage transistor
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PMBT5551,215 PMBT5551,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
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Mindestbestellmenge: 53
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PMBT5551,215 PMBT5551,215 Hersteller : NEXPERIA 2849355.pdf Description: NEXPERIA - PMBT5551,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PMBT5551,215 PMBT5551,215 Hersteller : NEXPERIA 2849355.pdf Description: NEXPERIA - PMBT5551,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PMBT5551,215 PMBT5551,215 Hersteller : NEXPERIA pmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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PMBT5551,215 Hersteller : Nexperia PMBT5551.pdf Транз. Бипол. ММ NPN SOT-23-3 Uceo=160V; Ic=-0,3A; f=300MHz; Pdmax=0,25W; hfemin=100 @ 100mA, 1V
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.09 EUR
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PMBT5551,215 PMBT5551,215 Hersteller : NEXPERIA PMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.3A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PMBT5551,215 PMBT5551,215 Hersteller : NEXPERIA PMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.3A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
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