| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.24 EUR |
| 10+ | 0.73 EUR |
| 50+ | 0.56 EUR |
| 100+ | 0.49 EUR |
| 200+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| 2500+ | 0.32 EUR |
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Technische Details PMCB60XNZ Nexperia
Description: NEXPERIA - PMCB60XNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.04 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: DSN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PMCB60XNZ nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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PMCB60XNZ | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PMCB60XNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.04 ohm, DSN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: DSN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 9550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMCB60XNZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMCB60XNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.04 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: DSN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 9550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMCB60XNZ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMCB60XNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.04 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 167+ | 1.5 EUR |
| 269+ | 0.87 EUR |
| 556+ | 0.38 EUR |
| 614+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| 5000+ | 0.27 EUR |
| PMCB60XNZ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMCB60XNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.04 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage
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Description: NEXPERIA - PMCB60XNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.04 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 167+ | 1.5 EUR |
| 269+ | 0.87 EUR |
| 556+ | 0.38 EUR |
| 614+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| 5000+ | 0.27 EUR |