PMCPB5530X,115 транзистор
Produktcode: 197783
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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PMCPB5530X,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R |
auf Bestellung 2004 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMCPB5530X,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R |
auf Bestellung 2110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMCPB5530X,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R |
auf Bestellung 869 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMCPB5530X,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R |
auf Bestellung 869 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMCPB5530X,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMCPB5530X,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.026 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.026ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.17W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.17W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 553 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMCPB5530X,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMCPB5530X,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 490mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 3.4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMCPB5530X,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 490mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 3.4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMCPB5530X,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs PMCPB5530X/SOT1118/HUSON6 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PMCPB5530X,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 5.3/-4.5A Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 5.3/-4.5A Pulsed drain current: -14...12A Case: DFN2020-6; HUSON6; SOT1118 Gate-source voltage: ±12/±12V On-state resistance: 34/70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.7/12.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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