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Technische Details PMCPB5530XAX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMCPB5530XAX - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 3.6 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.066ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PMCPB5530XAX nach Preis ab 0.34 EUR bis 1.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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PMCPB5530XAX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6HUSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V, 785pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V, 66mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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PMCPB5530XAX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMCPB5530XAX - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 3.6 A, 0.034 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.066ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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PMCPB5530XAX | Hersteller : Nexperia |
Complementary Trench MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMCPB5530XAX | Hersteller : Nexperia |
Complementary Trench MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMCPB5530XAX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V, 785pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V, 66mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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