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PMCPB5530XAX

PMCPB5530XAX Nexperia


PMCPB5530XA.pdf Hersteller: Nexperia
MOSFETs 30 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET
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Technische Details PMCPB5530XAX Nexperia

Description: NEXPERIA - PMCPB5530XAX - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 3.6 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.066ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PMCPB5530XAX PMCPB5530XAX Hersteller : Nexperia USA Inc. PMCPB5530XA.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V, 785pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V, 66mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PMCPB5530XAX PMCPB5530XAX Hersteller : NEXPERIA 4315844.pdf Description: NEXPERIA - PMCPB5530XAX - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 3.6 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.066ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PMCPB5530XAX PMCPB5530XAX Hersteller : Nexperia USA Inc. PMCPB5530XA.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V, 785pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V, 66mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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