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PMCXB900UELZ

PMCXB900UELZ Nexperia

4460035628908766pmcxb900uel.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_2.pdfcidbr.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
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Technische Details PMCXB900UELZ Nexperia

Description: NEXPERIA - PMCXB900UELZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.47 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 380mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.47ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 380mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.47ohm
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Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PMCXB900UELZ
Hersteller: NEXPERIA
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMCXB900UELZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.47 ohm
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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