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PMDPB30XN,115

PMDPB30XN,115 Nexperia USA Inc.


PMDPB30XN.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
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Technische Details PMDPB30XN,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMDPB30XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.032 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.17W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.17W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PMDPB30XN,115 PMDPB30XN,115 Hersteller : Nexperia 4380102813521766pmdpb30xn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
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PMDPB30XN,115 PMDPB30XN,115 Hersteller : Nexperia PMDPB30XN-1664458.pdf MOSFET PMDPB30XN/SOT1118/HUSON6
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PMDPB30XN,115 PMDPB30XN,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMDPB30XN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
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PMDPB30XN,115 PMDPB30XN,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003060134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMDPB30XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.17W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.17W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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PMDPB30XN,115 Hersteller : NEXPERIA PMDPB30XN.pdf PMDPB30XN.115 Multi channel transistors
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