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Technische Details PMDPB55XP,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PMDPB55XP,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 490mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 490mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PMDPB55XP,115 nach Preis ab 0.21 EUR bis 0.94 EUR
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PMDPB55XP,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R |
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PMDPB55XP,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMDPB55XP,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMDPB55XP,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active |
auf Bestellung 1113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMDPB55XP,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs PMDPB55XP/SOT1118/HUSON6 |
auf Bestellung 12837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMDPB55XP,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDPB55XP,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm Verlustleistung, p-Kanal: 490mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 490mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMDPB55XP,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMDPB55XP,115 | Hersteller : Nexperia Inc. |
Mosfet Array 20V 3.4A 490mW Surface Mount 6-HUSON (2x2) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMDPB55XP,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMDPB55XP,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMDPB55XP,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PMDPB55XP,115 | Hersteller : NEXPERIA |
PMDPB55XP.115 Multi channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMDPB55XP,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active |
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