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Technische Details PMDT290UNE,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PMDT290UNE,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PMDT290UNE,115 nach Preis ab 0.092 EUR bis 0.76 EUR
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PMDT290UNE,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R |
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PMDT290UNE,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R |
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PMDT290UNE,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R |
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PMDT290UNE,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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PMDT290UNE,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R |
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PMDT290UNE,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R |
auf Bestellung 11894 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMDT290UNE,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs 20 V, 800 mA dual N-channel Trench MOSFET |
auf Bestellung 41297 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMDT290UNE,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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PMDT290UNE,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDT290UNE,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMDT290UNE,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMDT290UNE,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R |
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| PMDT290UNE,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 3.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: SOT666 Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.5A On-state resistance: 610mΩ Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.68nC Technology: Trench Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 3.2A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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| PMDT290UNE,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 3.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: SOT666 Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.5A On-state resistance: 610mΩ Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.68nC Technology: Trench Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 3.2A Mounting: SMD |
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