Produkte > NEXPERIA > PMDT670UPE,115
PMDT670UPE,115

PMDT670UPE,115 Nexperia

PMDT670UPE.pdf
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PMDT670UPE/SOT666/SOT6
auf Bestellung 4407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
4+0.79 EUR
10+0.48 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.18 EUR
4000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PMDT670UPE,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PMDT670UPE,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 550 mA, 550 mA, 0.67 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 550mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 550mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.67ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.67ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote PMDT670UPE,115 nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.79 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
PMDT670UPE,115 PMDT670UPE,115 Nexperia USA Inc. PMDT670UPE.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.79 EUR
37+0.48 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMDT670UPE,115 PMDT670UPE,115 NEXPERIA 3933532.pdf Description: NEXPERIA - PMDT670UPE,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 550 mA, 550 mA, 0.67 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 550mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.67ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.67ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMDT670UPE,115 PMDT670UPE.pdf
PMDT670UPE,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
23+0.79 EUR
37+0.48 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMDT670UPE,115 3933532.pdf
PMDT670UPE,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMDT670UPE,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 550 mA, 550 mA, 0.67 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 550mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.67ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.67ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH