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PMDT670UPE,115

PMDT670UPE,115 Nexperia USA Inc.

PMDT670UPE.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details PMDT670UPE,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMDT670UPE,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 550 mA, 550 mA, 0.67 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 550mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 550mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.67ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.67ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMDT670UPE,115 PMDT670UPE,115 Nexperia PMDT670UPE.pdf MOSFETs PMDT670UPE/SOT666/SOT6
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PMDT670UPE,115 PMDT670UPE,115 Nexperia USA Inc. PMDT670UPE.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PMDT670UPE,115 PMDT670UPE,115 NEXPERIA 3933532.pdf Description: NEXPERIA - PMDT670UPE,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 550 mA, 550 mA, 0.67 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 550mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.67ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.67ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4785 Stücke:
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177+1.42 EUR
266+0.88 EUR
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585+0.37 EUR
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PMDT670UPE,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PMDT670UPE/SOT666/SOT6
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PMDT670UPE,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
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PMDT670UPE,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMDT670UPE,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 550 mA, 550 mA, 0.67 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 550mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.67ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.67ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
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