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PMDXB590UPEZ

PMDXB590UPEZ Nexperia

Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1216 P CHAN 20V
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Technische Details PMDXB590UPEZ Nexperia

Description: NEXPERIA - PMDXB590UPEZ - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 570 mA, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 570mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.59ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 280mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: TrenchMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PMDXB590UPEZ PMDXB590UPEZ Hersteller : NEXPERIA 3982298.pdf Description: NEXPERIA - PMDXB590UPEZ - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 570 mA
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 570mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.59ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PMDXB590UPEZ PMDXB590UPEZ Hersteller : NEXPERIA 3982298.pdf Description: NEXPERIA - PMDXB590UPEZ - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 570 mA
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 570mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.59ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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PMDXB590UPEZ Hersteller : NEXPERIA pmdxb590upe.pdf Dual P-channel Trench MOSFET
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