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PMDXB600UNEZ

PMDXB600UNEZ Nexperia


804427522098711pmdxb600une.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
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Technische Details PMDXB600UNEZ Nexperia

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 265mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010B-6, Part Status: Active.

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PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ Hersteller : Nexperia 804427522098711pmdxb600une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
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PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ Hersteller : Nexperia 804427522098711pmdxb600une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
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PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ Hersteller : Nexperia 804427522098711pmdxb600une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
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PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ Hersteller : Nexperia 804427522098711pmdxb600une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
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PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ Hersteller : Nexperia USA Inc. PMDXB600UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 265mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
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PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ Hersteller : Nexperia USA Inc. PMDXB600UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 265mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
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50+0.36 EUR
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1000+0.11 EUR
2000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ Hersteller : Nexperia PMDXB600UNE.pdf MOSFETs 20 V, dual P-channel Trench MOSFET
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10+0.39 EUR
100+0.16 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.09 EUR
2500+0.08 EUR
5000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ Hersteller : Nexperia USA Inc. PMDXB600UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 265mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
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Mindestbestellmenge: 31
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PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ Hersteller : NEXPERIA 804427522098711pmdxb600une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
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PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ Hersteller : Nexperia 804427522098711pmdxb600une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
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PMDXB600UNEZ Hersteller : NEXPERIA PMDXB600UNE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1010B-6; SOT1216
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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PMDXB600UNEZ Hersteller : NEXPERIA PMDXB600UNE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1010B-6; SOT1216
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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