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Technische Details PMEG200G30ELPX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMEG200G30ELPX - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, CFP5 (SOD-128), 2 Pin(s), 880 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: CFP5 (SOD-128), Durchlassstoßstrom: -, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 880mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PMEG200G30ELPX nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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PMEG200G30ELPX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIGE 200V 3A SOD128/CFP5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 2A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 14 ns Technology: SiGe (Silicon Germanium) Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-128/CFP5 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 200 V |
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PMEG200G30ELPX | Hersteller : Nexperia |
 Rectifiers PMEG200G30ELP/SOD128/FlatPower |
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PMEG200G30ELPX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMEG200G30ELPX - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, CFP5 (SOD-128), 2 Pin(s), 880 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: CFP5 (SOD-128) Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 880mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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PMEG200G30ELPX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMEG200G30ELPX - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, CFP5 (SOD-128), 2 Pin(s), 880 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: CFP5 (SOD-128) Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 880mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMEG200G30ELPX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 31ns; SOD128; Ufmax: 0.81V; Ir: 30nA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Reverse recovery time: 31ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: silicon germanium diode (SiGe) Case: SOD128 Max. forward voltage: 0.81V Max. forward impulse current: 85A Leakage current: 30nA Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PMEG200G30ELPX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIGE 200V 3A SOD128/CFP5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 2A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 14 ns Technology: SiGe (Silicon Germanium) Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-128/CFP5 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 200 V |
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PMEG200G30ELPX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 31ns; SOD128; Ufmax: 0.81V; Ir: 30nA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Reverse recovery time: 31ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: silicon germanium diode (SiGe) Case: SOD128 Max. forward voltage: 0.81V Max. forward impulse current: 85A Leakage current: 30nA Kind of package: reel; tape |
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