PMEG3010ESBZ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2
Supplier Device Package: DSN1006-2
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 32pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 3.2 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-XDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 565 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
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Technische Details PMEG3010ESBZ Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2, Supplier Device Package: DSN1006-2, Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 32pF @ 10V, 1MHz, Technology: Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 3.2 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 2-XDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 565 mV @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Part Status: Obsolete, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| PMEG3010ESBZ | Nexperia |
Schottky Diodes & Rectifiers PMEG3010ESB/DSN1006-2/REEL 7 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PMEG3010ESBZ |
|
Hersteller: Nexperia
Schottky Diodes & Rectifiers PMEG3010ESB/DSN1006-2/REEL 7
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