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PMGD280UN,115

PMGD280UN,115 Nexperia

176950194670248pmgd280un.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
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Technische Details PMGD280UN,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMGD280UN,115 PMGD280UN,115 Nexperia 176950194670248pmgd280un.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
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PMGD280UN,115 PMGD280UN,115 Nexperia PMGD280UN.pdf MOSFETs PMGD280UN/SOT363/SC-88
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PMGD280UN,115 PMGD280UN,115 Nexperia USA Inc. PMGD280UN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
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PMGD280UN,115 PMGD280UN,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002882749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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200+1.25 EUR
457+0.51 EUR
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PMGD280UN,115 PMGD280UN,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002882749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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200+1.25 EUR
457+0.51 EUR
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PMGD280UN,115 PMGD280UN,115 NEXPERIA PMGD280UN.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.55A; 400mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.55A
Power dissipation: 0.4W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.89nC
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PMGD280UN,115 176950194670248pmgd280un.pdf
PMGD280UN,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.18 EUR
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PMGD280UN,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PMGD280UN/SOT363/SC-88
auf Bestellung 174569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.82 EUR
10+0.5 EUR
50+0.37 EUR
100+0.32 EUR
1000+0.25 EUR
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PMGD280UN,115 PMGD280UN.pdf
PMGD280UN,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
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24+0.88 EUR
40+0.54 EUR
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PMGD280UN,115 NEXP-S-A0002882749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMGD280UN,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+1.25 EUR
457+0.51 EUR
524+0.4 EUR
695+0.31 EUR
1500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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PMGD280UN,115 NEXP-S-A0002882749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMGD280UN,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+1.25 EUR
457+0.51 EUR
524+0.4 EUR
695+0.31 EUR
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Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.55A; 400mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.55A
Power dissipation: 0.4W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.89nC
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