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PMGD290UCEAX

PMGD290UCEAX NEXPERIA

PMGD290UCEA.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 450/-320mA
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.99W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 380/850mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68/1.14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Application: automotive industry
auf Bestellung 1448 Stücke:
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179+0.48 EUR
242+0.36 EUR
345+0.25 EUR
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Technische Details PMGD290UCEAX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMGD290UCEAX - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 725 mA, 725 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 725mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 725mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 445mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 445mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMGD290UCEAX PMGD290UCEAX Nexperia PMGD290UCEA.pdf MOSFETs SOT363 NPCH 20V .725A
auf Bestellung 1773 Stücke:
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5+0.81 EUR
10+0.5 EUR
100+0.31 EUR
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PMGD290UCEAX PMGD290UCEAX Nexperia USA Inc. PMGD290UCEA.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 725mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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24+0.88 EUR
39+0.54 EUR
100+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
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PMGD290UCEAX PMGD290UCEAX NEXPERIA NEXP-S-A0003511409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD290UCEAX - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 725 mA, 725 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 725mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 725mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 445mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 21755 Stücke:
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180+1.39 EUR
295+0.79 EUR
463+0.46 EUR
618+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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PMGD290UCEAX PMGD290UCEA.pdf
PMGD290UCEAX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT363 NPCH 20V .725A
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PMGD290UCEAX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 725mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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PMGD290UCEAX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD290UCEAX - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 725 mA, 725 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 725mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 725mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 445mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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463+0.46 EUR
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