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Technische Details PMGD290XN,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PMGD290XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 410mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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PMGD290XN,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R |
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PMGD290XN,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R |
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PMGD290XN,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R |
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PMGD290XN,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R |
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PMGD290XN,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R |
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PMGD290XN,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 410mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Not For New Designs |
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PMGD290XN,115 Produktcode: 127291
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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PMGD290XN,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R |
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PMGD290XN,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R |
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PMGD290XN,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R |
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PMGD290XN,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 410mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Not For New Designs |
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PMGD290XN,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs SOT363 N CHAN 20V |
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PMGD290XN,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R |
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PMGD290XN,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMGD290XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 410mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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PMGD290XN,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMGD290XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 410mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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PMGD290XN,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R |
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PMGD290XN,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMGD290XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 410mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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PMGD290XN,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMGD290XN,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R |
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| PMGD290XN,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 860mA; Idm: 1.72A; 410mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 860mA Pulsed drain current: 1.72A Power dissipation: 0.41W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| PMGD290XN,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 860mA; Idm: 1.72A; 410mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 860mA Pulsed drain current: 1.72A Power dissipation: 0.41W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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