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PMGD290XN,115

Name: PMGD290XN,115
Brand: Nexperia
SKU: 4726658-5
Price: 300.00 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 127291

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs

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Nexperia

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Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs

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42+	0.51 EUR
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NEXPERIA

NEXP-S-A0002882741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: NEXPERIA - PMGD290XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

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Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R

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Hersteller: Nexperia
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R

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Anzahl	Privatkunde
3000+	0.12 EUR

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R

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PMGD290XN,115

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs

auf Bestellung 30000 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
3000+	0.18 EUR
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15000+	0.14 EUR
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MOSFETs SOT363 2NCH 20V .86A

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3000+	0.13 EUR
6000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD290XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
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isCanonical: Y
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
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PMGD290XN,115

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R

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