PMH1200UPEH Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 91+ | 0.23 EUR |
| 139+ | 0.15 EUR |
| 159+ | 0.13 EUR |
| 188+ | 0.11 EUR |
| 250+ | 0.1 EUR |
| 500+ | 0.095 EUR |
| 1000+ | 0.09 EUR |
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Technische Details PMH1200UPEH Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 520mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 380mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung: 380mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN0606, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm.
Weitere Produktangebote PMH1200UPEH nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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PMH1200UPEH | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 520mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 380mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 380mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN0606 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm |
auf Bestellung 1884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMH1200UPEH | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 520mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 380mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm |
auf Bestellung 1884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMH1200UPEH |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 520mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 380mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN0606
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 520mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 380mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN0606
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
auf Bestellung 1884 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.46 EUR |
| 807+ | 0.26 EUR |
| 1118+ | 0.19 EUR |
| 1279+ | 0.17 EUR |
| PMH1200UPEH |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 380mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 520mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 380mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
auf Bestellung 1884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 289+ | 0.87 EUR |
| 496+ | 0.46 EUR |
| 807+ | 0.26 EUR |
| 1118+ | 0.19 EUR |
| 1279+ | 0.17 EUR |