PMH550UNEAH NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMH550UNEAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 770 mA, 0.67 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 770mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 284+ | 0.88 EUR |
| 400+ | 0.58 EUR |
| 633+ | 0.33 EUR |
| 1029+ | 0.2 EUR |
| 1419+ | 0.15 EUR |
| 5000+ | 0.11 EUR |
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Technische Details PMH550UNEAH NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMH550UNEAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 770 mA, 0.67 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 770mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: DFN0606, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PMH550UNEAH nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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PMH550UNEAH | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMH550UNEAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 770 mA, 0.67 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 770mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMH550UNEAH |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMH550UNEAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 770 mA, 0.67 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: DFN0606
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Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PMH550UNEAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 770 mA, 0.67 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 284+ | 0.88 EUR |
| 400+ | 0.58 EUR |
| 633+ | 0.33 EUR |
| 1029+ | 0.2 EUR |
| 1419+ | 0.15 EUR |
| 5000+ | 0.11 EUR |