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PMN100EPAX

PMN100EPAX Nexperia USA Inc.

PMN100EPA.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details PMN100EPAX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote PMN100EPAX nach Preis ab 0.21 EUR bis 0.84 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMN100EPAX PMN100EPAX NEXPERIA PMN100EPA.pdf Description: NEXPERIA - PMN100EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+0.57 EUR
530+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
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PMN100EPAX PMN100EPAX NEXPERIA PMN100EPA.pdf Description: NEXPERIA - PMN100EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 437 Stücke
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PMN100EPAX PMN100EPAX Nexperia USA Inc. PMN100EPA.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5942 Stücke:
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25+0.83 EUR
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500+0.32 EUR
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PMN100EPAX PMN100EPAX Nexperia PMN100EPA.pdf MOSFETs SOT457 P-CH 60V 2.5A
auf Bestellung 38156 Stücke:
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10+0.64 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
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3000+0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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PMN100EPAX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMN100EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PMN100EPAX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMN100EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 594 Stücke:
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PMN100EPAX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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32+0.67 EUR
100+0.44 EUR
500+0.32 EUR
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PMN100EPAX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT457 P-CH 60V 2.5A
auf Bestellung 38156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.84 EUR
10+0.64 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.24 EUR
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