PMN40SNAH NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMN40SNAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.036 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 164+ | 1.54 EUR |
| 242+ | 0.96 EUR |
| 417+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.39 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PMN40SNAH NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMN40SNAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.036 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PMN40SNAH nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMN40SNAH | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN40SNAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.036 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| PMN40SNAH |
|
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMN40SNAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.036 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PMN40SNAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.036 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 164+ | 1.54 EUR |
| 242+ | 0.96 EUR |
| 417+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.39 EUR |