
PMN40SNAH NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMN40SNAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.036 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details PMN40SNAH NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMN40SNAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.036 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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PMN40SNAH | Hersteller : NEXPERIA |
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auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |