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PMPB08R4VPX

PMPB08R4VPX Nexperia

pmpb08r4vp.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin DFN-M EP T/R
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Technische Details PMPB08R4VPX Nexperia

Description: NEXPERIA - PMPB08R4VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0084 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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PMPB08R4VPX PMPB08R4VPX Nexperia PMPB08R4VP.pdf MOSFETs 12 V, P-channel Trench MOSFET
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PMPB08R4VPX PMPB08R4VPX NEXPERIA PMPB08R4VP.pdf Description: NEXPERIA - PMPB08R4VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0084 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PMPB08R4VPX PMPB08R4VPX NEXPERIA PMPB08R4VP.pdf Description: NEXPERIA - PMPB08R4VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0084 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB08R4VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0084 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
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Kanaltyp: p-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
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Description: NEXPERIA - PMPB08R4VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0084 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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